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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF1010ZSPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF1010ZSPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRF1010ZSPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF1010ZSPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF1010ZSPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4140

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF1010ZSPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRF1010ZSPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRF1010ZSPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRF1010ZSPBF

Proprietà del prodotto IRF1010ZSPBF IRF1010ZLPBF IRF1010Z IRF1010ZSTRLPBF
Modello di prodotti IRF1010ZSPBF IRF1010ZLPBF IRF1010Z IRF1010ZSTRLPBF
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Bulk Tube Tube Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-262 TO-220AB D2PAK
Caratteristica FET - - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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