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IR2112-2PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2112-2PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2112-2PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads
Scheda dati
Cylindrical Battery Holders.pdf
In magazzino: 11560

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2112-2PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2112-2PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2112-2PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 16-PDIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns  
Contenitore / involucro 16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side or Low-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base IR2112  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2112-2PBF

Proprietà del prodotto IR2112-2PBF IR2112-1PBF IR2113-1 IR2112S
Modello di prodotti IR2112-2PBF IR2112-1PBF IR2113-1 IR2112S
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Serie - - - -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Independent Independent
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 25ns, 17ns 80ns, 40ns
Contenitore dispositivo fornitore 16-PDIP 14-PDIP 14-PDIP 16-SOIC
Configurazione guidata High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side Half-Bridge High-Side or Low-Side
Numero di prodotto di base IR2112 IR2112 IR2113 IR2112
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 2A, 2A 250mA, 500mA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting

IR2112-2PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2112-2PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2112-2PBF - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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