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IR2111PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2111PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2111PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
IR2111(S).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 14216

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2111PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2111PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2111PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns  
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 8.3V, 12.6V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous  
Numero di prodotto di base IR2111  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2111PBF

Proprietà del prodotto IR2111PBF IR2112-2PBF IR2111SPBF IR2111STR
Modello di prodotti IR2111PBF IR2112-2PBF IR2111SPBF IR2111STR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Tensione logica - VIL, VIH 8.3V, 12.6V 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V 8.3V, 12.6V
Numero di prodotto di base IR2111 IR2112 IR2111 IR2111
Configurazione guidata Half-Bridge High-Side or Low-Side Half-Bridge Half-Bridge
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous Independent Synchronous Synchronous
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP 16-PDIP 8-SOIC 8-SOIC
Serie - - - -
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm) 16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)

IR2111PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2111PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2111PBF - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
IR2111(S).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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