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IR2112S Image
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IR2112S - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2112S
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2112S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Scheda dati
IR2112(-1-2)(S)PbF.pdf
In magazzino: 17740

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2112S
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2112S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2112S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns  
Contenitore / involucro 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side or Low-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base IR2112  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2112S

Proprietà del prodotto IR2112S IR2113 IR2112STR IR2111STRPBF
Modello di prodotti IR2112S IR2113 IR2112STR IR2111STRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOIC 14-DIP 16-SOIC 8-SOIC
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Independent Synchronous
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns 25ns, 17ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Configurazione guidata High-Side or Low-Side Half-Bridge High-Side or Low-Side Half-Bridge
Numero di prodotto di base IR2112 IR2113 IR2112 IR2111
Contenitore / involucro 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 14-DIP (0.300", 7.62mm) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 2A, 2A 250mA, 500mA 250mA, 500mA

IR2112S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2112S PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2112S - Infineon Technologies.

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Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
IR2112(-1-2)(S)PbF.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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