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IR2112PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2112PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2112PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
14-DIP (0.300', 7.62mm)
Scheda dati
Cylindrical Battery Holders.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 12298

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2112PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2112PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2112PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 14-DIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns  
Contenitore / involucro 14-DIP (0.300', 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side or Low-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base IR2112  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2112PBF

Proprietà del prodotto IR2112PBF IR2112-1 IR2112SPBF IR2112STRPBF
Modello di prodotti IR2112PBF IR2112-1 IR2112SPBF IR2112STRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Contenitore dispositivo fornitore 14-DIP 14-PDIP 16-SOIC 16-SOIC
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Independent Independent
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Numero di prodotto di base IR2112 IR2112 IR2112 IR2112
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Configurazione guidata High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
Contenitore / involucro 14-DIP (0.300', 7.62mm) 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting

IR2112PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2112PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2112PBF - Infineon Technologies.

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