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IR2111STRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2111STRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2111STRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Scheda dati
IR2111(S).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 27435

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2111STRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2111STRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2111STRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 8.3V, 12.6V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous  
Numero di prodotto di base IR2111  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2111STRPBF

Proprietà del prodotto IR2111STRPBF IR2111STR IR2110S IR2112-1
Modello di prodotti IR2111STRPBF IR2111STR IR2110S IR2112-1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Numero di prodotto di base IR2111 IR2111 IR2110 IR2112
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 2A, 2A 250mA, 500mA
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads
Tensione logica - VIL, VIH 8.3V, 12.6V 8.3V, 12.6V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 25ns, 17ns 80ns, 40ns
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge High-Side or Low-Side
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous Synchronous Independent Independent
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 16-SOIC 14-PDIP
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 500 V 600 V
Frequenza di ingresso 2 2 2 2

IR2111STRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2111STRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2111STRPBF - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
IR2111(S).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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