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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverIR2111
IR2111 Image
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IR2111 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2111
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2111
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Pacchetto
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
IR2111(S).pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 17190

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2111
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2111, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2111

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns  
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 8.3V, 12.6V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous  
Numero di prodotto di base IR2111  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2111

Proprietà del prodotto IR2111 IR2111STR IR2110SPBF IR2110STR
Modello di prodotti IR2111 IR2111STR IR2110SPBF IR2110STR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 2A, 2A 2A, 2A
Tensione logica - VIL, VIH 8.3V, 12.6V 8.3V, 12.6V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous Synchronous Independent Independent
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 25ns, 17ns 25ns, 17ns
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP 8-SOIC 16-SOIC 16-SOIC
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Serie - - - -
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 500 V 500 V
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Numero di prodotto di base IR2111 IR2111 IR2110 IR2110

IR2111 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2111 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2111 - Infineon Technologies.

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Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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