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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRF7736M2TR
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRF7736M2TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF7736M2TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF7736M2TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric M4
Scheda dati
AUIRF7736M2TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 15823

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF7736M2TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRF7736M2TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRF7736M2TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric M4  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 65A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 63W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric M4  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4267 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 108 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 108A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRF7736  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRF7736M2TR

Proprietà del prodotto AUIRF7736M2TR AUIRF7732S2TR AUIRF7478QTR AUIRF7675M2TR
Modello di prodotti AUIRF7736M2TR AUIRF7732S2TR AUIRF7478QTR AUIRF7675M2TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 63W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) 2.5W (Ta) 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 108 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 31 nC @ 4.5 V 32 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 108A (Tc) 14A (Ta) 7A (Ta) 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4267 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1740 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric M4 DirectFET™ Isometric SC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric M2
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 60 V 150 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base AUIRF7736 AUIRF7732 - AUIRF7675
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 4V @ 50µA 3V @ 250µA 5V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric M4 DIRECTFET™ SC 8-SO DirectFET™ Isometric M2
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 65A, 10V 6.95mOhm @ 33A, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 56mOhm @ 11A, 10V

AUIRF7736M2TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRF7736M2TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRF7736M2TR - Infineon Technologies.

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