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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRF8739L2TR
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRF8739L2TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF8739L2TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF8739L2TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric L8
Scheda dati
AUIRF8739L2TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9418

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF8739L2TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRF8739L2TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRF8739L2TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 250µA  
Vgs (Max) 40V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric L8  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 0.6mOhm @ 195A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 340W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric L8  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17890 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 562 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 57A (Ta), 545A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRF8739  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRF8739L2TR

Proprietà del prodotto AUIRF8739L2TR AUIRFB3207 AUIRF7749L2TR AUIRF9Z34N
Modello di prodotti AUIRF8739L2TR AUIRFB3207 AUIRF7749L2TR AUIRF9Z34N
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 57A (Ta), 545A (Tc) 75A (Tc) 36A (Ta), 345A (Tc) 19A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric L8 TO-220-3 DirectFET™ Isometric L8 TO-220-3
Serie HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17890 pF @ 25 V 7600 pF @ 50 V 10655 pF @ 25 V 620 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 0.6mOhm @ 195A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 1.5mOhm @ 120A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 340W (Tc) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) 68W (Tc)
Vgs (Max) 40V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric L8 TO-220AB DirectFET™ Isometric L8 TO-220AB
Numero di prodotto di base AUIRF8739 - AUIRF7749 -
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 75 V 60 V 55 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 562 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 275 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AUIRF8739L2TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRF8739L2TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRF8739L2TR - Infineon Technologies.

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