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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRF7416QTR
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRF7416QTR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF7416QTR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF7416QTR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
AUIRF7416Q.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4440

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF7416QTR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRF7416QTR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRF7416QTR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.04V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)  

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Proprietà del prodotto AUIRF7416QTR AUIRF7675M2TR AUIRF7737L2TR AUIRF7732S2TR
Modello di prodotti AUIRF7416QTR AUIRF7675M2TR AUIRF7737L2TR AUIRF7732S2TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.04V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 150µA 4V @ 50µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) 4.4A (Ta), 18A (Tc) 31A (Ta), 156A (Tc) 14A (Ta)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric M2 DirectFET™ Isometric L6 DirectFET™ Isometric SC
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V 56mOhm @ 11A, 10V 1.9mOhm @ 94A, 10V 6.95mOhm @ 33A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO DirectFET™ Isometric M2 DIRECTFET L6 DIRECTFET™ SC
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 150 V 40 V 40 V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.7W (Ta), 45W (Tc) 3.3W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 5469 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

AUIRF7416QTR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRF7416QTR PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRF7416QTR - Infineon Technologies.

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