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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

AUIRF7416QTR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF7416QTR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF7416QTR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
AUIRF7416Q.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4440

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF7416QTR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRF7416QTR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRF7416QTR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.04V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRF7416QTR

Proprietà del prodotto AUIRF7416QTR AUIRF7665S2TR AUIRF7675M2TR AUIRF7732S2TR
Modello di prodotti AUIRF7416QTR AUIRF7665S2TR AUIRF7675M2TR AUIRF7732S2TR
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.04V @ 250µA 5V @ 25µA 5V @ 100µA 4V @ 50µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 4.4A (Ta), 18A (Tc) 14A (Ta)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric SB DirectFET™ Isometric M2 DirectFET™ Isometric SC
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V 62mOhm @ 8.9A, 10V 56mOhm @ 11A, 10V 6.95mOhm @ 33A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO DIRECTFET SB DirectFET™ Isometric M2 DIRECTFET™ SC
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 100 V 150 V 40 V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.4W (Ta), 30W (Tc) 2.7W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 515 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

AUIRF7416QTR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRF7416QTR PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRF7416QTR - Infineon Technologies.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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