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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRF7749L2TR
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRF7749L2TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF7749L2TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF7749L2TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric L8
Scheda dati
AUIRF7749L2TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7338

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF7749L2TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRF7749L2TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRF7749L2TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric L8  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5mOhm @ 120A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 341W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric L8  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10655 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 275 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Ta), 345A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRF7749  

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Proprietà del prodotto AUIRF7749L2TR AUIRF7738L2TR AUIRF7665S2TR AUIRF8739L2TR
Modello di prodotti AUIRF7749L2TR AUIRF7738L2TR AUIRF7665S2TR AUIRF8739L2TR
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 275 nC @ 10 V 194 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 562 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 40 V 100 V 40 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10655 pF @ 25 V 7471 pF @ 25 V 515 pF @ 25 V 17890 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric L8 DIRECTFET L6 DIRECTFET SB DirectFET™ Isometric L8
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V 40V
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 341W (Tc) 3.3W (Ta), 94W (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) 3.8W (Ta), 340W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base AUIRF7749 - AUIRF7665 AUIRF8739
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric L8 DirectFET™ Isometric L6 DirectFET™ Isometric SB DirectFET™ Isometric L8
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 25µA 3.9V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5mOhm @ 120A, 10V 1.6mOhm @ 109A, 10V 62mOhm @ 8.9A, 10V 0.6mOhm @ 195A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Ta), 345A (Tc) 35A (Ta), 130A (Tc) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 57A (Ta), 545A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

AUIRF7749L2TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRF7749L2TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRF7749L2TR - Infineon Technologies.

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