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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRF7484QTR
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

AUIRF7484QTR - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF7484QTR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF7484QTR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
AUTOMOTIVE N CHANNEL
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
AUIRF7484QTR.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5300

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF7484QTR
Specifiche tecniche International Rectifier - AUIRF7484QTR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - AUIRF7484QTR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 14A, 7V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3520 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 7 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS Non applicabile
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier AUIRF7484QTR

Proprietà del prodotto AUIRF7484QTR AUIRF7738L2TR AUIRF7416QTR AUIRF7665S2TR
Modello di prodotti AUIRF7484QTR AUIRF7738L2TR AUIRF7416QTR AUIRF7665S2TR
fabbricante International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 7 V 194 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 14A, 7V 1.6mOhm @ 109A, 10V 20mOhm @ 5.6A, 10V 62mOhm @ 8.9A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3520 pF @ 25 V 7471 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 515 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 3.3W (Ta), 94W (Tc) 2.5W (Ta) 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric L6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric SB
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V 10V 4.5V, 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 30 V 100 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO DIRECTFET L6 8-SO DIRECTFET SB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta) 35A (Ta), 130A (Tc) 10A (Ta) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2.04V @ 250µA 5V @ 25µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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