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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRF7737L2TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF7737L2TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF7737L2TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric L6
Scheda dati
AUIRF7737L2TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 13220

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF7737L2TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRF7737L2TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRF7737L2TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET L6  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9mOhm @ 94A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.3W (Ta), 83W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric L6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5469 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Ta), 156A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRF7737  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRF7737L2TR

Proprietà del prodotto AUIRF7737L2TR AUIRF7736M2TR AUIRF7665S2TR AUIRF7732S2TR
Modello di prodotti AUIRF7737L2TR AUIRF7736M2TR AUIRF7665S2TR AUIRF7732S2TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA 5V @ 25µA 4V @ 50µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V 108 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Numero di prodotto di base AUIRF7737 AUIRF7736 AUIRF7665 AUIRF7732
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET L6 DirectFET™ Isometric M4 DIRECTFET SB DIRECTFET™ SC
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric L6 DirectFET™ Isometric M4 DirectFET™ Isometric SB DirectFET™ Isometric SC
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 100 V 40 V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 3.3W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5469 pF @ 25 V 4267 pF @ 25 V 515 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9mOhm @ 94A, 10V 3mOhm @ 65A, 10V 62mOhm @ 8.9A, 10V 6.95mOhm @ 33A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Ta), 156A (Tc) 22A (Ta), 108A (Tc) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 14A (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AUIRF7737L2TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRF7737L2TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRF7737L2TR - Infineon Technologies.

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