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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloC3M0032120D
Wolfspeed, Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

C3M0032120D - Wolfspeed, Inc.

fabbricante Modello di prodotti
C3M0032120D
fabbricante
Wolfspeed
Allelco Modello di prodotti
32D-C3M0032120D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
C3M0032120D.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
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Specifiche

Specifiche tecnologiche C3M0032120D
Specifiche tecniche Wolfspeed, Inc. - C3M0032120D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Wolfspeed, Inc. - C3M0032120D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Wolfspeed  
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 11.5mA  
Vgs (Max) +15V, -4V  
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie C3M™  
Rds On (max) a Id, Vgs 43mOhm @ 40A, 15V  
Dissipazione di potenza (max) 283W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3357 pF @ 1000 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 15 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V  
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 63A (Tc)  
Numero di prodotto di base C3M0032120  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Wolfspeed, Inc. C3M0032120D

Proprietà del prodotto C3M0032120D C3M0075120D C3M0021120K NTD23N03RT4G
Modello di prodotti C3M0032120D C3M0075120D C3M0021120K NTD23N03RT4G
fabbricante Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3357 pF @ 1000 V 1350 pF @ 1000 V 4818 pF @ 1000 V 225 pF @ 20 V
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V 1200 V 1200 V 25 V
Serie C3M™ C3M™ C3M™ -
Vgs (Max) +15V, -4V +19V, -8V +15V, -4V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 15 V 54 nC @ 15 V 162 nC @ 15 V 3.76 nC @ 4.5 V
Numero di prodotto di base C3M0032120 C3M0075120 C3M0021120 NTD23
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 63A (Tc) 30A (Tc) 100A (Tc) 3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 43mOhm @ 40A, 15V 90mOhm @ 20A, 15V 28.8mOhm @ 50A, 15V 45mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 11.5mA 4V @ 5mA 3.6V @ 17.7mA 2V @ 250µA
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 283W (Tc) 113.6W (Tc) 469W (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V 15V 15V 4V, 5V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4L DPAK

C3M0032120D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica C3M0032120D PDF e la documentazione Wolfspeed, Inc. per C3M0032120D - Wolfspeed, Inc..

Packaging PCN
Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Schede tecniche
C3M0032120D.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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