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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDPF3860TYDTU
FDPF3860TYDTU Image
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FDPF3860TYDTU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDPF3860TYDTU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDPF3860TYDTU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 20A TO220F-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Scheda dati
FDPF3860T.pdf
In magazzino: 4730

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDPF3860TYDTU
Specifiche tecniche onsemi - FDPF3860TYDTU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDPF3860TYDTU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 (Y-Forming)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 38.2mOhm @ 5.9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 33.8W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Formed Leads  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDPF3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDPF3860TYDTU

Proprietà del prodotto FDPF3860TYDTU FDPF44N25T FDPF44N25T FDPF390N15A
Modello di prodotti FDPF3860TYDTU FDPF44N25T FDPF44N25T FDPF390N15A
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Serie PowerTrench® UniFET™ UniFET™ -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Formed Leads TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Dissipazione di potenza (max) 33.8W (Tc) 38W (Tc) 38W (Tc) 22W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 18.6 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc) 15A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 250 V 250 V 150 V
Rds On (max) a Id, Vgs 38.2mOhm @ 5.9A, 10V 69mOhm @ 22A, 10V 69mOhm @ 22A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk
Numero di prodotto di base FDPF3 FDPF44 - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 2870 pF @ 25 V 2870 pF @ 25 V 1285 pF @ 75 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 (Y-Forming) TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Caratteristica FET - - - -

FDPF3860TYDTU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDPF3860TYDTU PDF e la documentazione onsemi per FDPF3860TYDTU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDPF3860T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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