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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloC3M0120090J
Wolfspeed, Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

C3M0120090J - Wolfspeed, Inc.

fabbricante Modello di prodotti
C3M0120090J
fabbricante
Wolfspeed
Allelco Modello di prodotti
32D-C3M0120090J
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Scheda dati
C3M0120090J.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 4688

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Specifiche

Specifiche tecnologiche C3M0120090J
Specifiche tecniche Wolfspeed, Inc. - C3M0120090J, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Wolfspeed, Inc. - C3M0120090J

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Wolfspeed  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 3mA  
Vgs (Max) +18V, -8V  
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-7  
Serie C3M™  
Rds On (max) a Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 15V  
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 600 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 15 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V  
Tensione drain-source (Vdss) 900 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)  
Numero di prodotto di base C3M0120090  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Wolfspeed, Inc. C3M0120090J

Proprietà del prodotto C3M0120090J C3M0280090D C3M0075120K C3M0075120D
Modello di prodotti C3M0120090J C3M0280090D C3M0075120K C3M0075120D
fabbricante Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc.
Numero di prodotto di base C3M0120090 C3M0280090 C3M0075120 C3M0075120
Serie C3M™ C3M™ C3M™ C3M™
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc) 54W (Tc) 113.6W (Tc) 113.6W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 15 V 9.5 nC @ 15 V 51 nC @ 15 V 54 nC @ 15 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-7 TO-247-3 TO-247-4L TO-247-3
Vgs (Max) +18V, -8V +18V, -8V +19V, -8V +19V, -8V
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 3mA 3.5V @ 1.2mA 4V @ 5mA 4V @ 5mA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V 15V 15V 15V
Contenitore / involucro TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 600 V 150 pF @ 600 V 1350 pF @ 1000 V 1350 pF @ 1000 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 15V 360mOhm @ 7.5A, 15V 90mOhm @ 20A, 15V 90mOhm @ 20A, 15V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc) 11.5A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione drain-source (Vdss) 900 V 900 V 1200 V 1200 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube

C3M0120090J Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica C3M0120090J PDF e la documentazione Wolfspeed, Inc. per C3M0120090J - Wolfspeed, Inc..

Schede tecniche
C3M0120090J.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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