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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloC3M0075120K
Wolfspeed, Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

C3M0075120K - Wolfspeed, Inc.

fabbricante Modello di prodotti
C3M0075120K
fabbricante
Wolfspeed
Allelco Modello di prodotti
32D-C3M0075120K
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-4
Scheda dati
C3M0075120K.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 3835

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Specifiche

Specifiche tecnologiche C3M0075120K
Specifiche tecniche Wolfspeed, Inc. - C3M0075120K, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Wolfspeed, Inc. - C3M0075120K

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Wolfspeed  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 5mA  
Vgs (Max) +19V, -8V  
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-4L  
Serie C3M™  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 20A, 15V  
Dissipazione di potenza (max) 113.6W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-4  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 1000 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 15 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V  
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base C3M0075120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Wolfspeed, Inc. C3M0075120K

Proprietà del prodotto C3M0075120K STB42N65M5 C3M0060065K C3M0032120D
Modello di prodotti C3M0075120K STB42N65M5 C3M0060065K C3M0032120D
fabbricante Wolfspeed, Inc. STMicroelectronics Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc.
Dissipazione di potenza (max) 113.6W (Tc) 190W (Tc) 150W (Tc) 283W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 33A (Tc) 37A (Tc) 63A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V 10V 15V 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 1000 V 4650 pF @ 100 V 1020 pF @ 600 V 3357 pF @ 1000 V
Vgs (Max) +19V, -8V ±25V +15V, -4V +15V, -4V
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 20A, 15V 79mOhm @ 16.5A, 10V 79mOhm @ 13.2A, 15V 43mOhm @ 40A, 15V
Serie C3M™ MDmesh™ V C3M™ C3M™
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 5mA 5V @ 250µA 3.6V @ 5mA 3.6V @ 11.5mA
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-4L D2PAK TO-247-4L TO-247-3
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-247-4 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-4 TO-247-3
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 15 V 100 nC @ 10 V 46 nC @ 15 V 114 nC @ 15 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V 650 V 650 V 1200 V
Numero di prodotto di base C3M0075120 STB42 C3M0060065 C3M0032120

C3M0075120K Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica C3M0075120K PDF e la documentazione Wolfspeed, Inc. per C3M0075120K - Wolfspeed, Inc..

Packaging PCN
Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Schede tecniche
C3M0075120K.pdf
PCN Design/Specifica
C3M00y Design Chg Apr/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mosfet Wafer Dia Chg Jan/2018.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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