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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloC3M0021120D
Wolfspeed, Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

C3M0021120D - Wolfspeed, Inc.

fabbricante Modello di prodotti
C3M0021120D
fabbricante
Wolfspeed
Allelco Modello di prodotti
32D-C3M0021120D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
C3M0021120D.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
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Specifiche

Specifiche tecnologiche C3M0021120D
Specifiche tecniche Wolfspeed, Inc. - C3M0021120D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Wolfspeed, Inc. - C3M0021120D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Wolfspeed  
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 17.7mA  
Vgs (Max) +15V, -4V  
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie C3M™  
Rds On (max) a Id, Vgs 28.8mOhm @ 50A, 15V  
Dissipazione di potenza (max) 469W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4818 pF @ 1000 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 15 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V  
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base C3M0021120  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Wolfspeed, Inc. C3M0021120D

Proprietà del prodotto C3M0021120D C3M0060065K C3M0120100K C3M0280090D
Modello di prodotti C3M0021120D C3M0060065K C3M0120100K C3M0280090D
fabbricante Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc.
Rds On (max) a Id, Vgs 28.8mOhm @ 50A, 15V 79mOhm @ 13.2A, 15V 155mOhm @ 15A, 15V 360mOhm @ 7.5A, 15V
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Numero di prodotto di base C3M0021120 C3M0060065 C3M0120100 C3M0280090
Dissipazione di potenza (max) 469W (Tc) 150W (Tc) 83W (Tc) 54W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 15 V 46 nC @ 15 V 21.5 nC @ 15 V 9.5 nC @ 15 V
Vgs (Max) +15V, -4V +15V, -4V ±15V +18V, -8V
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-4L TO-247-4L TO-247-3
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V 650 V 1000 V 900 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie C3M™ C3M™ C3M™ C3M™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4818 pF @ 1000 V 1020 pF @ 600 V 350 pF @ 600 V 150 pF @ 600 V
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 17.7mA 3.6V @ 5mA 3.5V @ 3mA 3.5V @ 1.2mA
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-4 TO-247-4 TO-247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 37A (Tc) 22A (Tc) 11.5A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V 15V 15V 15V

C3M0021120D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica C3M0021120D PDF e la documentazione Wolfspeed, Inc. per C3M0021120D - Wolfspeed, Inc..

Packaging PCN
Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Schede tecniche
C3M0021120D.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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