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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLL110TRPBF
IRLL110TRPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLL110TRPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRLL110TRPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLL110TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IRLL110.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 99560

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLL110TRPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRLL110TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRLL110TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLL110  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRLL110TRPBF

Proprietà del prodotto IRLL110TRPBF IRLL024ZTRPBF IRLL2703TRPBF IRLL110PBF
Modello di prodotti IRLL110TRPBF IRLL024ZTRPBF IRLL2703TRPBF IRLL110PBF
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 1W (Ta) 1W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 55 V 30 V 100 V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc) 5A (Tc) 3.9A (Ta) 1.5A (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±16V ±16V ±10V
Numero di prodotto di base IRLL110 IRLL024 - IRLL110
Rds On (max) a Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 5V 60mOhm @ 3A, 10V 45mOhm @ 3.9A, 10V 540mOhm @ 900mA, 5V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 11 nC @ 5 V 14 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223

IRLL110TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLL110TRPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRLL110TRPBF - Vishay Siliconix.

PCN Design/Specifica
Reel Design Change 29/Dec/2022.pdf Wire/Mold Compound Update 31/Aug/2015.pdf
Schede tecniche
IRLL110.pdf

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