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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLL110TRPBF-BE3
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLL110TRPBF-BE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRLL110TRPBF-BE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLL110TRPBF-BE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IRLL110.pdf
In magazzino: 116380

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLL110TRPBF-BE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRLL110TRPBF-BE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRLL110TRPBF-BE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLL110  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRLL110TRPBF-BE3

Proprietà del prodotto IRLL110TRPBF-BE3 IRLL110TRPBF IRLL110TR IRLL2703PBF
Modello di prodotti IRLL110TRPBF-BE3 IRLL110TRPBF IRLL110TR IRLL2703PBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 1W (Ta)
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±16V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 14 nC @ 5 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - HEXFET®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Numero di prodotto di base IRLL110 IRLL110 IRLL110 -
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 5V 540mOhm @ 900mA, 5V 540mOhm @ 900mA, 5V 45mOhm @ 3.9A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc) 1.5A (Tc) 1.5A (Tc) 3.9A (Ta)

IRLL110TRPBF-BE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLL110TRPBF-BE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRLL110TRPBF-BE3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRLL110.pdf

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