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IRLL2703 Image
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IRLL2703 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLL2703
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLL2703
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IRLL2703.pdf
In magazzino: 4140

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLL2703
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLL2703, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLL2703

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 3.9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLL2703

Proprietà del prodotto IRLL2703 IRLL110TR IRLL2703PBF IRLL2705TRPBF
Modello di prodotti IRLL2703 IRLL110TR IRLL2703PBF IRLL2705TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±16V
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 1W (Ta) 1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 3.9A, 10V 540mOhm @ 900mA, 5V 45mOhm @ 3.9A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 14 nC @ 5 V 48 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A (Ta) 1.5A (Tc) 3.9A (Ta) 3.8A (Ta)
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 100 V 30 V 55 V

IRLL2703 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLL2703 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLL2703 - Infineon Technologies.

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