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IRLL110 Image
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IRLL110 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRLL110
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLL110
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IRLL110.pdf
In magazzino: 4540

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLL110
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRLL110, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRLL110

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLL110  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRLL110

Proprietà del prodotto IRLL110 IRLL024NTRPBF IRLL110TRPBF-BE3 IRLL024ZPBF
Modello di prodotti IRLL110 IRLL024NTRPBF IRLL110TRPBF-BE3 IRLL024ZPBF
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix International Rectifier
Numero di prodotto di base IRLL110 IRLL024 IRLL110 -
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc) 3.1A (Ta) 1.5A (Tc) 5A (Tc)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 1W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 1W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 15.6 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 11 nC @ 5 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±16V
Caratteristica FET - - - -
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 5V 65mOhm @ 3.1A, 10V 540mOhm @ 900mA, 5V 60mOhm @ 3A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 55 V 100 V 55 V

IRLL110 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLL110 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRLL110 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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