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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLL110TR
IRLL110TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLL110TR - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRLL110TR
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLL110TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IRLL110.pdf
In magazzino: 4810

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLL110TR
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRLL110TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRLL110TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLL110  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRLL110TR

Proprietà del prodotto IRLL110TR IRLL110PBF IRLL024ZPBF IRLL110TRPBF
Modello di prodotti IRLL110TR IRLL110PBF IRLL024ZPBF IRLL110TRPBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix International Rectifier Vishay Siliconix
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±10V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 1W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 55 V 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc) 1.5A (Tc) 5A (Tc) 1.5A (Tc)
Numero di prodotto di base IRLL110 IRLL110 - IRLL110
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 5V
Rds On (max) a Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 5V 540mOhm @ 900mA, 5V 60mOhm @ 3A, 10V 540mOhm @ 900mA, 5V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 11 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V
Serie - - HEXFET® -

IRLL110TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLL110TR PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRLL110TR - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRLL110.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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