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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciCSD87355Q5D
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

CSD87355Q5D - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD87355Q5D
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD87355Q5D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
Pacchetto
8-PowerLDFN
Scheda dati
CSD87355Q5D.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 33228

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Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD87355Q5D
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD87355Q5D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD87355Q5D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.9V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-LSON (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Potenza - Max 12W  
Contenitore / involucro 8-PowerLDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.7nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numero di prodotto di base CSD87355Q5  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD87355Q5D

Proprietà del prodotto CSD87355Q5D CSD87351ZQ5D CSD87381PT CSD87384M
Modello di prodotti CSD87355Q5D CSD87351ZQ5D CSD87381PT CSD87384M
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Contenitore dispositivo fornitore 8-LSON (5x6) 8-LSON (5x6) 5-PTAB (3x2.5) 5-PTAB (5x3.5)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.7nC @ 4.5V 7.7nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V 9.2nC @ 4.5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 32A 15A 30A
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
Contenitore / involucro 8-PowerLDFN 8-PowerLDFN 5-LGA 5-LGA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 15V 1255pF @ 15V 564pF @ 15V 1150pF @ 15V
Rds On (max) a Id, Vgs - - 16.3mOhm @ 8A, 8V 7.7mOhm @ 25A, 8V
Numero di prodotto di base CSD87355Q5 CSD87351 CSD87381 CSD87384
Potenza - Max 12W 12W 4W 8W
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (max) a Id 1.9V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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