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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciCSD75208W1015
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD75208W1015 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD75208W1015
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD75208W1015
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UFBGA, DSBGA
Scheda dati
CSD75208W1015.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 158960

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Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD75208W1015
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD75208W1015, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD75208W1015

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-DSBGA (1x1.5)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 68mOhm @ 1A, 4.5V  
Potenza - Max 750mW  
Contenitore / involucro 6-UFBGA, DSBGA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual) Common Source  
Numero di prodotto di base CSD75208  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD75208W1015

Proprietà del prodotto CSD75208W1015 CSD85312Q3E CSD75301W1015 CSD75211W1723
Modello di prodotti CSD75208W1015 CSD85312Q3E CSD75301W1015 CSD75211W1723
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V 15.2nC @ 4.5V 2.1nC @ 4.5V 5.9nC @ 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 68mOhm @ 1A, 4.5V 12.4mOhm @ 10A, 8V 100mOhm @ 1A, 4.5V 40mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Contenitore dispositivo fornitore 6-DSBGA (1x1.5) 8-VSON (3.3x3.3) 6-DSBGA (1x1.5) 12-DSBGA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 6-UFBGA, DSBGA 8-PowerVDFN 6-UFBGA, DSBGA 12-UFBGA, DSBGA
Configurazione 2 P-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V 2390pF @ 10V 195pF @ 10V 600pF @ 10V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 750mW 2.5W 800mW 1.5W
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A 39A 1.2A 4.5A
Numero di prodotto di base CSD75208 CSD85312 CSD75301 CSD75211
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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