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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RRQ020P03TCR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RRQ020P03TCR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RRQ020P03TCR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
RRQ020P03TCR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 236990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RRQ020P03TCR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RRQ020P03TCR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RRQ020P03TCR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT6 (SC-95)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.2 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Numero di prodotto di base RRQ020  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RRQ020P03TCR

Proprietà del prodotto RRQ020P03TCR IRL3705ZPBF STB20NM50T4 RE1C001UNTCL
Modello di prodotti RRQ020P03TCR IRL3705ZPBF STB20NM50T4 RE1C001UNTCL
fabbricante Rohm Semiconductor Infineon Technologies STMicroelectronics Rohm Semiconductor
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta) 130W (Tc) 192W (Tc) 150mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±30V ±8V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 55 V 550 V 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V 2880 pF @ 25 V 1480 pF @ 25 V 7.1 pF @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - HEXFET® MDmesh™ -
Contenitore dispositivo fornitore TSMT6 (SC-95) TO-220AB D2PAK EMT3F (SOT-416FL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 75A (Tc) 20A (Tc) 100mA (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.2 nC @ 5 V 60 nC @ 5 V 56 nC @ 10 V -
Numero di prodotto di base RRQ020 IRL3705 STB20 RE1C001
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 1V @ 100µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 10V 1.2V, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB SC-89, SOT-490
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 2A, 10V 8mOhm @ 52A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V

RRQ020P03TCR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RRQ020P03TCR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RRQ020P03TCR - Rohm Semiconductor.

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