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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRRQ045P03TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RRQ045P03TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RRQ045P03TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RRQ045P03TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
RRQ045P03TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 95400

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RRQ045P03TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RRQ045P03TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RRQ045P03TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT6 (SC-95)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base RRQ045  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RRQ045P03TR

Proprietà del prodotto RRQ045P03TR SI7446BDP-T1-E3 FDD2512 IRF8707PBF
Modello di prodotti RRQ045P03TR SI7446BDP-T1-E3 FDD2512 IRF8707PBF
fabbricante Rohm Semiconductor Vishay Siliconix onsemi International Rectifier
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TSMT6 (SC-95) PowerPAK® SO-8 TO-252AA 8-SO
Serie - TrenchFET® PowerTrench® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V 33 nC @ 5 V 11 nC @ 10 V 9.3 nC @ 4.5 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 150 V 30 V
Numero di prodotto di base RRQ045 SI7446 FDD251 -
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V 7.5mOhm @ 19A, 10V 420mOhm @ 2.2A, 10V 11.9mOhm @ 11A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 10 V 3076 pF @ 15 V 344 pF @ 75 V 760 pF @ 15 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta) 12A (Ta) 6.7A (Ta) 11A (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 2.35V @ 25µA
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 PowerPAK® SO-8 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta) 1.9W (Ta) 42W (Ta) 2.5W (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

RRQ045P03TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RRQ045P03TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RRQ045P03TR - Rohm Semiconductor.

PCN Design/Specifica
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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