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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL3705ZPBF
IRL3705ZPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL3705ZPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL3705ZPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL3705ZPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRL3705ZPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 39730

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL3705ZPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL3705ZPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL3705ZPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 52A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL3705  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL3705ZPBF

Proprietà del prodotto IRL3705ZPBF IRL3705NSPBF IRL3705ZSPBF IRL3705NS
Modello di prodotti IRL3705ZPBF IRL3705NSPBF IRL3705ZSPBF IRL3705NS
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 89A (Tc) 75A (Tc) 89A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V 98 nC @ 5 V 60 nC @ 5 V 98 nC @ 5 V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 2880 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Numero di prodotto di base IRL3705 - - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 130W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 52A, 10V 10mOhm @ 46A, 10V 8mOhm @ 52A, 10V 10mOhm @ 46A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V

IRL3705ZPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL3705ZPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL3705ZPBF - Infineon Technologies.

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