Specifiche
Specifiche tecnologiche SCT2H12NZGC11
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SCT2H12NZGC11, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SCT2H12NZGC11
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
LAPIS Technology |
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| Vgs (th) (max) a Id |
4V @ 900µA |
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| Vgs (Max) |
+22V, -6V |
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| Tecnologia |
SiCFET (Silicon Carbide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
TO-3PFM |
|
| Serie |
- |
|
| Rds On (max) a Id, Vgs |
1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
|
| Dissipazione di potenza (max) |
35W (Tc) |
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| Contenitore / involucro |
TO-3PFM, SC-93-3 |
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| Pacchetto |
Tube |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
175°C (TJ) |
|
| Tipo montaggio |
Through Hole |
|
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
184 pF @ 800 V |
|
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
14 nC @ 18 V |
|
| Tipo FET |
N-Channel |
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| Caratteristica FET |
- |
|
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
18V |
|
| Tensione drain-source (Vdss) |
1700 V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
3.7A (Tc) |
|
| Numero di prodotto di base |
SCT2H12 |
|
Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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SCT30N120D2STMicroelectronicsSICFET N-CH 1200V 40A HIP247