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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD17313Q2
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD17313Q2 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD17313Q2
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD17313Q2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-WDFN Exposed Pad
Scheda dati
Power Management Guide.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 187220

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD17313Q2
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD17313Q2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD17313Q2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-WSON (2x2)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 8V  
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)  
Numero di prodotto di base CSD17313  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD17313Q2

Proprietà del prodotto CSD17313Q2 CSD17312Q5 CSD17318Q2T CSD17308Q3
Modello di prodotti CSD17313Q2 CSD17312Q5 CSD17318Q2T CSD17308Q3
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 6-WSON (2x2) 8-VSON-CLIP (5x6) 6-WSON (2x2) 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 15 V 5240 pF @ 15 V 879 pF @ 15 V 700 pF @ 15 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) 38A (Ta), 100A (Tc) 25A (Tc) 14A (Ta), 44A (Tc)
Vgs (Max) +10V, -8V +10V, -8V ±10V +10V, -8V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V 36 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V 5.1 nC @ 4.5 V
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta) 3.2W (Ta) 16W (Tc) 2.7W (Ta)
Numero di prodotto di base CSD17313 CSD17312 CSD17318 CSD17308
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerTDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 8V 1.5mOhm @ 35A, 8V 15.1mOhm @ 8A, 8V 10.3mOhm @ 10A, 8V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V 3V, 8V 2.5V, 8V 3V, 8V

CSD17313Q2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD17313Q2 PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD17313Q2 - Texas Instruments.

Schede tecniche
Power Management Guide.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Standardization 29/Jan/2015.pdf
Assemblaggio/origine PCN
CSDYYY 01/Feb/2019.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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