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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTP88N085T
IXTP88N085T Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXTP88N085T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTP88N085T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTP88N085T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 85V 88A TO220AB
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXT(A,P)88N085T.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5260

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTP88N085T
Specifiche tecniche IXYS - IXTP88N085T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTP88N085T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie TrenchMV™  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3140 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 85 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 88A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTP88  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTP88N085T

Proprietà del prodotto IXTP88N085T IXTP76N075T IXTP86N20T IXTQ110N10P
Modello di prodotti IXTP88N085T IXTP76N075T IXTP86N20T IXTQ110N10P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA 4V @ 50µA 5V @ 1mA 5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-3P-3, SC-65-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 176W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-3P
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3140 pF @ 25 V 2580 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 3550 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numero di prodotto di base IXTP88 IXTP76 IXTP86 IXTQ110
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 85 V 75 V 200 V 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 88A (Tc) 76A (Tc) 86A (Tc) 110A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 25A, 10V 12mOhm @ 25A, 10V 29mOhm @ 500mA, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V
Serie TrenchMV™ TrenchMV™ Trench Polar
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V

IXTP88N085T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTP88N085T PDF e la documentazione IXYS per IXTP88N085T - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
IXT Series 30/Oct/2012.pdf
Schede tecniche
IXT(A,P)88N085T.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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