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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTP75N10P
IXTP75N10P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTP75N10P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTP75N10P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTP75N10P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXT(A,P,Q)75N10P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 16908

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTP75N10P
Specifiche tecniche IXYS - IXTP75N10P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTP75N10P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTP75  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTP75N10P

Proprietà del prodotto IXTP75N10P IXTP90N055T IXTP50N25T IXTP60N20T
Modello di prodotti IXTP75N10P IXTP90N055T IXTP50N25T IXTP60N20T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 500mA, 10V 8.8mOhm @ 25A, 10V 50mOhm @ 25A, 10V 40mOhm @ 30A, 10V
Numero di prodotto di base IXTP75 IXTP90 IXTP50 IXTP60
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 55 V 250 V 200 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 4530 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA 4V @ 50µA 5V @ 1mA 5V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 90A (Tc) 50A (Tc) 60A (Tc)
Serie Polar TrenchT2™ Trench Trench
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc) 176W (Tc) 400W (Tc) 500W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXTP75N10P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTP75N10P PDF e la documentazione IXYS per IXTP75N10P - IXYS.

Schede tecniche
IXT(A,P,Q)75N10P.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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