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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTP80N12T2
IXTP80N12T2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTP80N12T2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTP80N12T2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTP80N12T2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXTP80N12T2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30461

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTP80N12T2
Specifiche tecniche IXYS - IXTP80N12T2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTP80N12T2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie TrenchT2™  
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 325W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4740 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 120 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTP80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTP80N12T2

Proprietà del prodotto IXTP80N12T2 IXTP8N50P IXTQ102N15T IXTP80N10T
Modello di prodotti IXTP80N12T2 IXTP8N50P IXTQ102N15T IXTP80N10T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 40A, 10V 800mOhm @ 4A, 10V 18mOhm @ 500mA, 10V 14mOhm @ 25A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 8A (Tc) 102A (Tc) 80A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220-3 TO-3P TO-220-3
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 325W (Tc) 150W (Tc) 455W (Tc) 230W (Tc)
Serie TrenchT2™ PolarHV™ - Trench
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA 5.5V @ 100µA 5V @ 1mA 5V @ 100µA
Tensione drain-source (Vdss) 120 V 500 V 150 V 100 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IXTP80 IXTP8 IXTQ102 IXTP80
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4740 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V 5220 pF @ 25 V 3040 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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