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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTQ102N20T
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTQ102N20T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTQ102N20T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTQ102N20T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
IXTQ102N20T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4950

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTQ102N20T
Specifiche tecniche IXYS - IXTQ102N20T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTQ102N20T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P  
Serie Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 750W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 102A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTQ102  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTQ102N20T

Proprietà del prodotto IXTQ102N20T IXTP88N085T IXTP80N10T IXTQ100N25P
Modello di prodotti IXTQ102N20T IXTP88N085T IXTP80N10T IXTQ100N25P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1mA 4V @ 100µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA
Numero di prodotto di base IXTQ102 IXTP88 IXTP80 IXTQ100
Serie Trench TrenchMV™ Trench Polar
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 25A, 10V 14mOhm @ 25A, 10V 24mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 750W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc) 600W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 85 V 100 V 250 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P TO-220-3 TO-220-3 TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 102A (Tc) 88A (Tc) 80A (Tc) 100A (Tc)
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-3P-3, SC-65-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 3140 pF @ 25 V 3040 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXTQ102N20T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTQ102N20T PDF e la documentazione IXYS per IXTQ102N20T - IXYS.

PCN Design/Specifica
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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