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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTP80N10T
IXTP80N10T Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTP80N10T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTP80N10T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTP80N10T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXT(A,P)80N10T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 24363

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTP80N10T
Specifiche tecniche IXYS - IXTP80N10T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTP80N10T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3040 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTP80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTP80N10T

Proprietà del prodotto IXTP80N10T IXTP86N20T IXTP64N055T IXTQ100N25P
Modello di prodotti IXTP80N10T IXTP86N20T IXTP64N055T IXTQ100N25P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 86A (Tc) 64A (Tc) 100A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-3P-3, SC-65-3
Serie Trench Trench TrenchMV™ Polar
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3040 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-3P
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 200 V 55 V 250 V
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 480W (Tc) 130W (Tc) 600W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IXTP80 IXTP86 IXTP64 IXTQ100
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 25A, 10V 29mOhm @ 500mA, 10V 13mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 50A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 5V @ 1mA 4V @ 25µA 5V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IXTP80N10T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTP80N10T PDF e la documentazione IXYS per IXTP80N10T - IXYS.

Schede tecniche
IXT(A,P)80N10T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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