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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTP50N25T
IXTP50N25T Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTP50N25T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTP50N25T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTP50N25T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXT(A,H,P,Q)50N25T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 16085

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTP50N25T
Specifiche tecniche IXYS - IXTP50N25T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTP50N25T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTP50  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTP50N25T

Proprietà del prodotto IXTP50N25T IXTP44N10T IXTP450P2 IXTP48P05T
Modello di prodotti IXTP50N25T IXTP44N10T IXTP450P2 IXTP48P05T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±15V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Trench Trench PolarP2™ TrenchP™
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc) 130W (Tc) 300W (Tc) 150W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numero di prodotto di base IXTP50 IXTP44 IXTP450 IXTP48
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 100 V 500 V 50 V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 10V 30mOhm @ 22A, 10V 330mOhm @ 8A, 10V 30mOhm @ 24A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 44A (Tc) 16A (Tc) 48A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 1262 pF @ 25 V 2530 pF @ 25 V 3660 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA 4.5V @ 25µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA

IXTP50N25T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTP50N25T PDF e la documentazione IXYS per IXTP50N25T - IXYS.

Schede tecniche
IXT(A,H,P,Q)50N25T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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