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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTP02N50D
IXTP02N50D Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTP02N50D - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTP02N50D
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTP02N50D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXT(P,U,Y)02N50D.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 11457

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTP02N50D
Specifiche tecniche IXYS - IXTP02N50D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTP02N50D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie Depletion  
Rds On (max) a Id, Vgs 30Ohm @ 50mA, 0V  
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta), 25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Depletion Mode  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTP02  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTP02N50D

Proprietà del prodotto IXTP02N50D IXTN60N50L2 IXTP100N04T2 IXTN550N055T2
Modello di prodotti IXTP02N50D IXTN60N50L2 IXTP100N04T2 IXTN550N055T2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie Depletion Linear L2™ TrenchT2™ TrenchT2™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V 2690 pF @ 25 V 40000 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 SOT-227B TO-220-3 SOT-227B
Numero di prodotto di base IXTP02 IXTN60 IXTP100 IXTN550
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 25µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 735W (Tc) 150W (Tc) 940W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 30Ohm @ 50mA, 0V 100mOhm @ 30A, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 40 V 55 V
Caratteristica FET Depletion Mode - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Tc) 53A (Tc) 100A (Tc) 550A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC

IXTP02N50D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTP02N50D PDF e la documentazione IXYS per IXTP02N50D - IXYS.

Schede tecniche
IXT(P,U,Y)02N50D.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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