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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTN60N50L2
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTN60N50L2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTN60N50L2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTN60N50L2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXTN60N50L2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 839

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTN60N50L2
Specifiche tecniche IXYS - IXTN60N50L2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTN60N50L2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie Linear L2™  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 735W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 24000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 610 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 53A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTN60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTN60N50L2

Proprietà del prodotto IXTN60N50L2 IXTP08N100D2 IXTN30N100L IXTN36N50
Modello di prodotti IXTN60N50L2 IXTP08N100D2 IXTN30N100L IXTN36N50
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 24000 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 13700 pF @ 25 V -
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA - 5.5V @ 250µA 4V @ 20mA
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 1000 V 1000 V 500 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 53A (Tc) 800mA (Tc) 30A (Tc) 36A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B TO-220-3 SOT-227B SOT-227B
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 20V -
Dissipazione di potenza (max) 735W (Tc) 60W (Tc) 800W (Tc) 400W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 610 nC @ 10 V 14.6 nC @ 5 V 545 nC @ 20 V -
Serie Linear L2™ Depletion Linear -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - Depletion Mode - -
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Numero di prodotto di base IXTN60 IXTP08 IXTN30 IXTN36
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 30A, 10V 21Ohm @ 400mA, 0V 450mOhm @ 15A, 20V -

IXTN60N50L2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTN60N50L2 PDF e la documentazione IXYS per IXTN60N50L2 - IXYS.

Schede tecniche
IXTN60N50L2.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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