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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTP08N100D2
IXTP08N100D2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTP08N100D2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTP08N100D2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTP08N100D2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXT(Y,A,P)08N100D2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30669

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTP08N100D2
Specifiche tecniche IXYS - IXTP08N100D2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTP08N100D2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie Depletion  
Rds On (max) a Id, Vgs 21Ohm @ 400mA, 0V  
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14.6 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Depletion Mode  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 800mA (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTP08  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTP08N100D2

Proprietà del prodotto IXTP08N100D2 IXTP100N04T2 IXTP05N100 IXTN90N25L2
Modello di prodotti IXTP08N100D2 IXTP100N04T2 IXTP05N100 IXTN90N25L2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Chassis Mount
Caratteristica FET Depletion Mode - - -
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) 150W (Tc) 40W (Tc) 735W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 800mA (Tc) 100A (Tc) 750mA (Tc) 90A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V 2690 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14.6 nC @ 5 V 25.5 nC @ 10 V 7.8 nC @ 10 V 640 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V 40 V 1000 V 250 V
Serie Depletion TrenchT2™ - Linear L2™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Vgs (th) (max) a Id - 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 3mA
Rds On (max) a Id, Vgs 21Ohm @ 400mA, 0V 7mOhm @ 25A, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 33mOhm @ 500mA, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base IXTP08 IXTP100 IXTP05 IXTN90
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 SOT-227B
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V 10V

IXTP08N100D2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTP08N100D2 PDF e la documentazione IXYS per IXTP08N100D2 - IXYS.

Schede tecniche
IXT(Y,A,P)08N100D2.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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