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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTN600N04T2
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTN600N04T2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTN600N04T2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTN600N04T2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXTN600N04T2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1093

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTN600N04T2
Specifiche tecniche IXYS - IXTN600N04T2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTN600N04T2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie TrenchT2™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.05mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 940W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 590 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTN600  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTN600N04T2

Proprietà del prodotto IXTN600N04T2 IXTN62N50L IXTP01N100D IXTP02N50D
Modello di prodotti IXTN600N04T2 IXTN62N50L IXTP01N100D IXTP02N50D
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 500 V 1000 V 500 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base IXTN600 IXTN62 IXTP01 IXTP02
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 590 nC @ 10 V 550 nC @ 20 V 5.8 nC @ 5 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.05mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 500mA, 20V 80Ohm @ 50mA, 0V 30Ohm @ 50mA, 0V
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - Depletion Mode Depletion Mode
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B TO-220-3 TO-220-3
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600A (Tc) 62A (Tc) 400mA (Tc) 200mA (Tc)
Serie TrenchT2™ Linear Depletion Depletion
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 20V 0V 10V
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 25µA 5V @ 25µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 940W (Tc) 800W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40000 pF @ 25 V 11500 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V 120 pF @ 25 V

IXTN600N04T2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTN600N04T2 PDF e la documentazione IXYS per IXTN600N04T2 - IXYS.

Schede tecniche
IXTN600N04T2.pdf

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Europa Germania 5
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Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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