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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTP01N100D
IXTP01N100D Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTP01N100D - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTP01N100D
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTP01N100D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXT(P,U,Y)01N100D.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 13782

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTP01N100D
Specifiche tecniche IXYS - IXTP01N100D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTP01N100D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie Depletion  
Rds On (max) a Id, Vgs 80Ohm @ 50mA, 0V  
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta), 25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Depletion Mode  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 0V  
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 400mA (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTP01  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTP01N100D

Proprietà del prodotto IXTP01N100D IXTP05N100 IXTN550N055T2 IXTN60N50L2
Modello di prodotti IXTP01N100D IXTP05N100 IXTN550N055T2 IXTN60N50L2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 80Ohm @ 50mA, 0V 17Ohm @ 375mA, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 30A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 40000 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 0V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 SOT-227B SOT-227B
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V 1000 V 55 V 500 V
Caratteristica FET Depletion Mode - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 25µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 40W (Tc) 940W (Tc) 735W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 400mA (Tc) 750mA (Tc) 550A (Tc) 53A (Tc)
Serie Depletion - TrenchT2™ Linear L2™
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base IXTP01 IXTP05 IXTN550 IXTN60
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 5 V 7.8 nC @ 10 V 595 nC @ 10 V 610 nC @ 10 V

IXTP01N100D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTP01N100D PDF e la documentazione IXYS per IXTP01N100D - IXYS.

Schede tecniche
IXT(P,U,Y)01N100D.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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