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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTN17N120L
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTN17N120L - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTN17N120L
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTN17N120L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXTN17N120L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 567

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTN17N120L
Specifiche tecniche IXYS - IXTN17N120L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTN17N120L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie Linear  
Rds On (max) a Id, Vgs 900mOhm @ 8.5A, 20V  
Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 15 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTN17  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTN17N120L

Proprietà del prodotto IXTN17N120L IXTK82N25P IXTN170P10P IXTN200N10L2
Modello di prodotti IXTN17N120L IXTK82N25P IXTN170P10P IXTN200N10L2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V 250 V 100 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 15 V 142 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 540 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 900mOhm @ 8.5A, 20V 35mOhm @ 41A, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 100A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 1mA 4.5V @ 3mA
Serie Linear Polar Polar Linear L2™
Numero di prodotto di base IXTN17 IXTK82 IXTN170 IXTN200
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B TO-264 (IXTK) SOT-227B SOT-227B
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8300 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 12600 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 82A (Tc) 170A (Tc) 178A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc) 500W (Tc) 890W (Tc) 830W (Tc)

IXTN17N120L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTN17N120L PDF e la documentazione IXYS per IXTN17N120L - IXYS.

Schede tecniche
IXTN17N120L.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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