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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIXTL2X200N085T
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTL2X200N085T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTL2X200N085T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTL2X200N085T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ISOPLUSi5-Pak™
Scheda dati
IXTL2X200N085T.pdf
In magazzino: 5330

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTL2X200N085T
Specifiche tecniche IXYS - IXTL2X200N085T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTL2X200N085T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUSi5-Pak™  
Serie TrenchMV™  
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V  
Potenza - Max 150W  
Contenitore / involucro ISOPLUSi5-Pak™  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 85V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 112A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IXTL2X200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTL2X200N085T

Proprietà del prodotto IXTL2X200N085T IXTL2X180N10T IXTN200N10L2 IXTK82N25
Modello di prodotti IXTL2X200N085T IXTL2X180N10T IXTN200N10L2 IXTK82N25
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS / Littelfuse
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V 7.4mOhm @ 50A, 10V 11mOhm @ 100A, 10V -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 3mA -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 85V 100V 100 V -
Numero di prodotto di base IXTL2X200 IXTL2 IXTN200 -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 112A 100A 178A (Tc) -
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUSi5-Pak™ ISOPLUSi5-Pak™ SOT-227B -
Pacchetto Tube Tube Bulk -
Potenza - Max 150W 150W - -
Serie TrenchMV™ Trench Linear L2™ -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 25V 6900pF @ 25V 23000 pF @ 25 V -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Contenitore / involucro ISOPLUSi5-Pak™ ISOPLUSi5-Pak™ SOT-227-4, miniBLOC -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Chassis Mount -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V 151nC @ 10V 540 nC @ 10 V -

IXTL2X200N085T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTL2X200N085T PDF e la documentazione IXYS per IXTL2X200N085T - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
IXT Series 30/Oct/2012.pdf
Schede tecniche
IXTL2X200N085T.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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