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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIXTL2X180N10T
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTL2X180N10T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTL2X180N10T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTL2X180N10T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ISOPLUSi5-Pak™
Scheda dati
IXTL2X180N10T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1584

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTL2X180N10T
Specifiche tecniche IXYS - IXTL2X180N10T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTL2X180N10T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUSi5-Pak™  
Serie Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.4mOhm @ 50A, 10V  
Potenza - Max 150W  
Contenitore / involucro ISOPLUSi5-Pak™  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 151nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IXTL2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTL2X180N10T

Proprietà del prodotto IXTL2X180N10T IXTL2X200N085T IXTK82N25 IXTK46N50L
Modello di prodotti IXTL2X180N10T IXTL2X200N085T IXTK82N25 IXTK46N50L
fabbricante IXYS IXYS IXYS / Littelfuse IXYS
Contenitore / involucro ISOPLUSi5-Pak™ ISOPLUSi5-Pak™ - TO-264-3, TO-264AA
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA - 6V @ 250µA
Potenza - Max 150W 150W - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - Through Hole
Pacchetto Tube Tube - Bulk
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 151nC @ 10V 152nC @ 10V - 260 nC @ 15 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 25V 7600pF @ 25V - 7000 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base IXTL2 IXTL2X200 - IXTK46
Rds On (max) a Id, Vgs 7.4mOhm @ 50A, 10V 6mOhm @ 50A, 10V - 160mOhm @ 500mA, 20V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Tensione drain-source (Vdss) 100V 85V - 500 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A 112A - 46A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Serie Trench TrenchMV™ - Linear
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUSi5-Pak™ ISOPLUSi5-Pak™ - TO-264 (IXTK)

IXTL2X180N10T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTL2X180N10T PDF e la documentazione IXYS per IXTL2X180N10T - IXYS.

Schede tecniche
IXTL2X180N10T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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