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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTN170P10P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTN170P10P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTN170P10P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTN170P10P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXTN170P10P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1483

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTN170P10P
Specifiche tecniche IXYS - IXTN170P10P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTN170P10P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTN170  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTN170P10P

Proprietà del prodotto IXTN170P10P IXTN22N100L IXTN200N10L2 IXTN17N120L
Modello di prodotti IXTN170P10P IXTN22N100L IXTN200N10L2 IXTN17N120L
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 5.5V @ 250µA 4.5V @ 3mA 5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 20V 10V 20V
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Serie Polar Linear Linear L2™ Linear
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12600 pF @ 25 V 7050 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 8300 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc) 22A (Tc) 178A (Tc) 15A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc) 700W (Tc) 830W (Tc) 540W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Numero di prodotto di base IXTN170 IXTN22 IXTN200 IXTN17
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 1000 V 100 V 1200 V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 270 nC @ 15 V 540 nC @ 10 V 155 nC @ 15 V
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 500mA, 10V 600mOhm @ 11A, 20V 11mOhm @ 100A, 10V 900mOhm @ 8.5A, 20V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXTN170P10P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTN170P10P PDF e la documentazione IXYS per IXTN170P10P - IXYS.

Schede tecniche
IXTN170P10P.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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