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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTL2N450
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTL2N450 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTL2N450
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTL2N450
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ISOPLUSi5-Pak™
Scheda dati
IXTL2N450.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 251

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTL2N450
Specifiche tecniche IXYS - IXTL2N450, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTL2N450

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 6V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUSi5-Pak™  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 23Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 220W (Tc)  
Contenitore / involucro ISOPLUSi5-Pak™  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 4500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTL2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTL2N450

Proprietà del prodotto IXTL2N450 IXTN21N100 IXTN170P10P IXTK75N30
Modello di prodotti IXTL2N450 IXTN21N100 IXTN170P10P IXTK75N30
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 12600 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUSi5-Pak™ SOT-227B SOT-227B TO-264 (IXTK)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 6V @ 250µA 4.5V @ 500µA 4V @ 1mA 4V @ 250µA
Contenitore / involucro ISOPLUSi5-Pak™ SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Serie - MegaMOS™ Polar MegaMOS™
Tipo montaggio Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Numero di prodotto di base IXTL2 IXTN21 IXTN170 IXTK75
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 220W (Tc) 520W (Tc) 890W (Tc) 540W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) 21A (Tc) 170A (Tc) 75A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 23Ohm @ 1A, 10V 550mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V 42mOhm @ 500mA, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 4500 V 1000 V 100 V 300 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IXTL2N450 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTL2N450 PDF e la documentazione IXYS per IXTL2N450 - IXYS.

Schede tecniche
IXTL2N450.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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