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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTK250N10
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTK250N10 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTK250N10
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTK250N10
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 250A TO264
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXTK250N10.pdf
In magazzino: 4710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTK250N10
Specifiche tecniche IXYS - IXTK250N10, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTK250N10

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-264 (IXTK)  
Serie MegaMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 90A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 730W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Box  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 430 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTK250  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTK250N10

Proprietà del prodotto IXTK250N10 IXTK62N25 IXTK200N10L2 IXTK170N10P
Modello di prodotti IXTK250N10 IXTK62N25 IXTK200N10L2 IXTK170N10P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 3mA 5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 90A, 10V 35mOhm @ 31A, 10V 11mOhm @ 100A, 10V 9mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 730W (Tc) 390W (Tc) 1040W (Tc) 715W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250A (Tc) 62A (Tc) 200A (Tc) 170A (Tc)
Pacchetto Box Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12700 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 250 V 100 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 430 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 540 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Numero di prodotto di base IXTK250 IXTK62 IXTK200 IXTK170
Serie MegaMOS™ MegaMOS™ Linear L2™ Polar
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IXTK250N10 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTK250N10 PDF e la documentazione IXYS per IXTK250N10 - IXYS.

Schede tecniche
IXTK250N10.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
IXTK250N10 14/Nov/2012.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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