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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTK20N150
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTK20N150 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTK20N150
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTK20N150
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1500V 20A TO264
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXT(K,X)20N150.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 836

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTK20N150
Specifiche tecniche IXYS - IXTK20N150, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTK20N150

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-264 (IXTK)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1250W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 1500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTK20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTK20N150

Proprietà del prodotto IXTK20N150 IXTK128N15 IXTK250N10 IXTK21N100
Modello di prodotti IXTK20N150 IXTK128N15 IXTK250N10 IXTK21N100
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IXTK20 IXTK128 IXTK250 IXTK21
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 12700 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 500µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Box Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 430 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 1500 V 150 V 100 V 1000 V
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Serie - MegaMOS™ MegaMOS™ MegaMOS™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 128A (Tc) 250A (Tc) 21A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 10A, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 5mOhm @ 90A, 10V 550mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1250W (Tc) 540W (Tc) 730W (Tc) 500W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V

IXTK20N150 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTK20N150 PDF e la documentazione IXYS per IXTK20N150 - IXYS.

Schede tecniche
IXT(K,X)20N150.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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