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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTK170N10P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXTK170N10P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTK170N10P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTK170N10P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 170A TO264
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXT(K,Q,T)170N10P.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3357

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTK170N10P
Specifiche tecniche IXYS - IXTK170N10P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTK170N10P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-264 (IXTK)  
Serie Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 715W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 198 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTK170  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTK170N10P

Proprietà del prodotto IXTK170N10P IXTK200N10L2 IXTK120N20P IXTK120N25P
Modello di prodotti IXTK170N10P IXTK200N10L2 IXTK120N20P IXTK120N25P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie Polar Linear L2™ Polar Polar
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4.5V @ 3mA 5V @ 250µA 5V @ 500µA
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc) 200A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Numero di prodotto di base IXTK170 IXTK200 IXTK120 IXTK120
Dissipazione di potenza (max) 715W (Tc) 1040W (Tc) 714W (Tc) 700W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 198 nC @ 10 V 540 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 200 V 250 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Contenitore dispositivo fornitore TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 100A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 60A, 10V

IXTK170N10P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTK170N10P PDF e la documentazione IXYS per IXTK170N10P - IXYS.

Schede tecniche
IXT(K,Q,T)170N10P.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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