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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTK200N10P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTK200N10P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTK200N10P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTK200N10P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXTK200N10P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4383

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTK200N10P
Specifiche tecniche IXYS - IXTK200N10P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTK200N10P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-264 (IXTK)  
Serie Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 800W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTK200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTK200N10P

Proprietà del prodotto IXTK200N10P IXTK180N15 IXTK200N10L2 IXTK250N10
Modello di prodotti IXTK200N10P IXTK180N15 IXTK200N10L2 IXTK250N10
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Serie Polar MegaMOS™ Linear L2™ MegaMOS™
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 500µA 4V @ 250µA 4.5V @ 3mA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 150 V 100 V 100 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc) 180A (Tc) 200A (Tc) 250A (Tc)
Numero di prodotto di base IXTK200 IXTK180 IXTK200 IXTK250
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 12700 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Tube Box
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 800W (Tc) 730W (Tc) 1040W (Tc) 730W (Tc)
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 540 nC @ 10 V 430 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V 9mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 100A, 10V 5mOhm @ 90A, 10V

IXTK200N10P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTK200N10P PDF e la documentazione IXYS per IXTK200N10P - IXYS.

Schede tecniche
IXTK200N10P.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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